Low temperature investigations of e−‐irradiated GaAs

Abstract Positron lifetime measurements have been performed on electron irradiated chromium doped semi‐insulating GaAs as a function of annealing between 139 and 908 K. Trapping at negatively charged Ga As defects and by a vacancy mixture dominated by trivacancies took place in the as‐irradiated state. Upon annealing around 210 K divacancies were formed from the trivacancies as caused by migrating arsenic interstitials. Complete trapping prevailed up to 530 K but decreased then rapidly at higher temperatures due to the migration of divacancies which also remove the Ga As defects. Positronenlebensdauern wurden in elektronenbestrahltem Cr‐dotiertem „semiinsulating”︁ GaAs als Funktion von isochroner thermischer Behandlung zwischen 139 und 908 K gemessen. Nach der Elektronenbestrahlung sind sämtliche Positronen entweder durch negativ geladene Ga(As)‐Antistrukturatome oder durch eine Mischung von Dreifach‐ und Doppelleerstellen statt. Danach wurde ein rapides Abnehmen der totalen Einfangrate oberhalb 530 K festgestellt. Dies wird durch die Mobilisierung der Doppelleerstellen und die damit verbundene Beseitigung des starken Einfangs der Positronen durch die Ga(As)‐Defekte verursacht.