Journal article
ChemInform Abstract: REPEATED REMOVAL OF THIN LAYERS OF SILICON BY ANODIC OXIDATION
Abstract
Abstract Es wird eine billige und einfache Schichttrennungsmethode (Anodisierung und anschließendes Ätzen) beschrieben, die, kombiniert mit Schichtwiderstandsmessungen, zur Bestimmung der Verunreinigungsprofile in Si geeignet ist.
Authors
BARBER HD; LO HB; JONES JE
Journal
ChemInform, Vol. 7, No. 52, pp. no–no
Publisher
Wiley
Publication Date
December 28, 1976
DOI
10.1002/chin.197652013
ISSN
0931-7597