ChemInform Abstract: REPEATED REMOVAL OF THIN...

ChemInform Abstract: REPEATED REMOVAL OF THIN LAYERS OF SILICON BY ANODIC OXIDATION

Abstract

Abstract Es wird eine billige und einfache Schichttrennungsmethode (Anodisierung und anschließendes Ätzen) beschrieben, die, kombiniert mit Schichtwiderstandsmessungen, zur Bestimmung der Verunreinigungsprofile in Si geeignet ist.

Authors

BARBER HD; LO HB; JONES JE

Journal

ChemInform, Vol. 7, No. 52, pp. no–no

Publisher

Wiley

Publication Date

December 28, 1976

DOI

10.1002/chin.197652013

ISSN

0931-7597

Associated Experts

Douglas Barber

Scholar in Residence, Faculty of Engineering

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