ChemInform Abstract: REPEATED REMOVAL OF THIN LAYERS OF SILICON BY ANODIC OXIDATION Journal Articles uri icon

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abstract

  • AbstractEs wird eine billige und einfache Schichttrennungsmethode (Anodisierung und anschließendes Ätzen) beschrieben, die, kombiniert mit Schichtwiderstandsmessungen, zur Bestimmung der Verunreinigungsprofile in Si geeignet ist.

publication date

  • December 28, 1976